RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3933
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link