RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
104
Около -395% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3216
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link