RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
80
104
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
80
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1775
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link