RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
104
Около -215% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3041
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link