RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
70
104
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
70
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link