RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2213
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link