RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2213
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link