RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2088
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link