RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2356
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link