RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston 9905622-075.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2325
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link