RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
104
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2034
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link