RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
21.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3581
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link