RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3050
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link