RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
104
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
51
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2387
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link