RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2447
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link