RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
104
Около -160% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2495
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link