Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 10.0

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 104

Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 36
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 14.7
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2490

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-056.A01LF 1GB

Kingston 9905316-056.A01LF 1GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

модули RAM

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

модули RAM