RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2490
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link