RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2927
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link