RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2588
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link