RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2791
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link