RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
90
104
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
90
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1743
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link