RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3351
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link