Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,072.7 12.1

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 75

Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 34
Скорость чтения, Гб/сек

2,730.3 14.5
Скорость записи, Гб/сек

2,072.7 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 2756

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM