Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,072.7 11.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 75

Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 25
Скорость чтения, Гб/сек

2,730.3 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,072.7 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 2635

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9905701-131.A00G 16GB

Kingston 9905701-131.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM