RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
75
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2635
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link