RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,072.7
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около -159% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3291
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link