RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3291
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965516-100.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link