RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,574.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,858.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,574.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
607
2913
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link