RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
65
Около -261% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,574.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,858.9
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,574.4
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
607
3564
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link