RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
74
Около -124% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2806
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link