RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
74
En -124% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2806
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link