RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
74
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3306
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link