RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
74
Около -118% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3606
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link