RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
74
Около -139% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3809
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link