RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
74
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2969
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link