RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
74
Около -90% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2808
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link