RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
74
Около -90% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2808
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link