RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
74
Около -139% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2999
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link