RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
74
Около -155% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
23.4
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
4208
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link