RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
23.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
23.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4208
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link