RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2336
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link