RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2336
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link