RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2336
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link