RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2336
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link