RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
54
Autour de -54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2336
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link