RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
74
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
11.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2319
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link