RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2453
3260
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link