RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2731
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link