RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2731
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link