RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3061
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link