RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
74
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3498
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link