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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
18.2
写入速度,GB/s
2,201.1
15.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3498
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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