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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston 9905624-022.A00G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
87
左右 53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
87
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
9.7
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
1583
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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