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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905630-051.A00G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
15.6
写入速度,GB/s
870.4
11.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2704
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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